檢索結果：共10筆資料 檢索策略： "flash memory".ekeyword (精準) and year="109"
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干擾錯誤和保留時間錯誤是3D-TLC閃存中的兩種主要錯誤類型。 隨著的P/E cycles增加，氧化層變薄。 因此，存儲在電池中的電荷變得更容易丟失，這將導致Vth發生負向偏移。 同時，由於FN隧道…
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由於快閃記憶體具有有限的P/E cycles，因此超過快閃記憶體單位限制的P/E cycles後會出現嚴重的可靠性問題，資料只能在有限的時間（即保留時間）或有限的讀取周期內安全地儲存。隨著資料的保留…
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快閃記憶體(NAND Flash)擁有體積小、功耗低、抗震、存取速度快等優勢，但快閃記憶體仍會面臨資料的「異地更新」、「垃圾收集」和「不平衡的執行時間」等硬體上的限制。一般而言，在有限的DRAM空間…
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為了增加MLC flash memory的整體效能，會把SSD 中一部分的MLC block 轉換成pseudo SLC block，能讓這些block 能夠有一般SLC block的效能，因為此時…
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近年來，深度神經網路 (Deep Neural Network, DNN) 快速得發展，至今已應用在許多領域，例如智慧家電、人臉辨識與自動駕駛等等。深度神經網路模型透過大量的訓練資料，使正確率 (A…
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由於快閃記憶體技術已縮小到 1x nm，並且可以在一個單元中存儲更多位，因此快閃記憶體的存儲密度得到了顯著提高。然而，這些技術趨勢也嚴重損害了快閃記憶體的編程速度和耐久性。內部數據保留時間是快閃記憶…
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